广东昭信半导体装备制造有限公司 main business:研发、生产、销售：半导体设备及配件、机电设备及配件、仪器仪表及配件、计算机软硬件、工业自动化产品、电子产品，及其相关领域的技术开发、技术服务；货物进出口、技术进出口（法律、行政法规禁止的项目除外；法律、行政法规限制的项目须取得许可后方可经营）。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 440600000016691
- 91440600686361504X
- 在营（开业）企业
- 有限责任公司(自然人独资)
- 2009年03月11日
- 甘志银
- 5455.000000
- 2009年03月11日 至 永久
- 广东省佛山市工商行政管理局
- 2018年05月07日
- 佛山市南海区平洲南港大街5号1楼
- 研发、生产、销售：半导体设备及配件、机电设备及配件、仪器仪表及配件、计算机软硬件、工业自动化产品、电子产品，及其相关领域的技术开发、技术服务；货物进出口、技术进出口（法律、行政法规禁止的项目除外；法律、行政法规限制的项目须取得许可后方可经营）。(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)〓
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 广东昭信半导体装备制造有限公司 | http://www.chinamocvd.com |
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 14418407 |  |
INAGIC | 2014-04-21 | 印刷机器；模压加工机器；玻璃加工机；金属加工机械；金属加工机械；金属加工机械；电子工业设备；静电工业设备；光学冷加工设备；气体分离设备； | 查看详情 |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105719946A | 一种GaN复合衬底制备方法 | 2016.06.29 | 本发明公开了一种利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法高速生长氮化镓（GaN）制作复合衬底制备 |
| 2 | CN106367731A | 一种氧化物化学气相沉积装置和方法 | 2017.02.01 | 本发明公开了一种氧化物化学气相沉积装置和方法，主要包括：载片筒、压紧环、载片筒安装环、底座、腔体外壁 |
| 3 | CN105695952A | 热壁式金属有机物化学气相沉积喷淋装置及工艺方法 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种金属有机物化学气相沉积喷淋装置及工艺方法，主要包括喷淋、气体进口、气体输入缓冲腔、通 |
| 4 | CN105624649A | 输送载片盘用抓取装置 | 2016.06.01 | 本发明公开了一种用于化学气相沉积设备的载片盘输送的抓取装置，主要包括底座、导杆、回转臂、机械手。本发 |
| 5 | CN105586578A | 用于化学气相沉积设备的载片盘转运装置 | 2016.05.18 | 本发明公开了一种用于化学气相沉积设备的载片盘转运的装置，主要包括托盘、托盘导轨、中段导轨、缓冲腔导轨 |
| 6 | CN104864110A | 真空闸板阀 | 2015.08.26 | 本发明公开了一种闸板阀，尤其是一种应用在高真空系统的真空闸板阀，主要包括密封腔、驱动板、平行四边形机 |
| 7 | CN204570032U | 化学气相沉积设备的喷淋装置 | 2015.08.19 | 本实用新型公开了一种化学气相沉积设备的喷淋装置，主要包括上层喷淋进气口、下层喷淋进气口、冷却水进口、 |
| 8 | CN204244487U | 电阻加热器 | 2015.04.01 | 本实用新型涉及一种电阻加热器，包括电阻片加热区和电阻丝加热区，电阻片加热区在电阻丝加热区内侧。本实用 |
| 9 | CN204244490U | 分区热反射板 | 2015.04.01 | 本实用新型提供一种分区热反射板，在多区电阻加热源的背对加热源热辐射方向的一面对每区加热电阻设置单独的 |
| 10 | CN101191202B | 金属有机物化学气相沉积设备反应腔的加热系统 | 2012.06.06 | 一种金属有机物化学气相沉积设备反应腔的加热系统，主要包括反应气体进气管道、石墨圆片、石墨舟、基座、石 |
| 11 | CN101857952B | 气相沉积设备反应腔的加热系统 | 2012.06.06 | 一种气相沉积设备反应腔的加热系统，包括气体A、气体B进气管道、缓冲腔、喷淋口、反应室、基座、石墨舟、 |
| 12 | CN301734655S | 外延设备（MOCVD设备) | 2011.11.23 | 1.外观设计产品的名称：外延设备（MOCVD设备)。2.产品用途：用于生产半导体薄膜。3.设计要点： |
| 13 | CN102206814A | 半导体薄膜生长控制设备及控制半导体薄膜生长的方法 | 2011.10.05 | 本发明具体涉及一种控制半导体薄膜生长的设备及利用该设备控制半导体薄膜生长的方法。本发明的控制半导体薄 |
| 14 | CN201986179U | 一种红外加热片 | 2011.09.21 | 本实用新型涉及一种红外加热片，包括火线电极、地线电极以及加热片主体，所述加热片主体的形状为波浪形状。 |
| 15 | CN101191201B | 金属有机物化学气相沉积设备的反应腔体 | 2010.12.15 | 金属有机物化学气相沉积设备的反应腔体，主要包括反应气体进气管道、反应气体缓冲腔、喷淋口、石墨舟、基座 |
| 16 | CN101886251A | 电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积 | 2010.11.17 | 一种电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积设备，包括：反应腔、喷淋装置、衬底载片台、石墨盘、电极，其特征 |
| 17 | CN101857952A | 气相沉积设备反应腔的加热系统 | 2010.10.13 | 一种气相沉积设备反应腔的加热系统，包括气体A、气体B进气管道、缓冲腔、喷淋口、反应室、基座、石墨舟、 |
| 18 | CN201560234U | 集成有原子层沉积工艺的化学气相沉积设备 | 2010.08.25 | 一种集成有原子层沉积工艺的化学气相沉积设备，包括：化学气相沉积设备的气体输送系统、反应腔、尾气处理系 |
| 19 | CN201406468Y | 电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积设备 | 2010.02.17 | 电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积设备，包括：反应腔、喷淋口、衬底载片台、石墨盘、电极，其特征在于在 |
| 20 | CN201406469Y | 气相沉积设备反应腔的加热装置 | 2010.02.17 | 一种气相沉积设备反应腔的加热装置，包括气体A、气体B进气管道、缓冲腔、喷淋口、反应室、基座、石墨舟、 |
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